濺射鍍
⒈原理
⑴在高電壓作用下，陰極靶發(fā)出電子高速飛向陽(yáng)極。
⑵高速電子撞擊氣體分子，產(chǎn)生輝光放電，氣體離化。
⑶離化后的氣體離子（正離子）沖向陰極靶，將靶材中的原子濺射出來。
⑷濺射出來的靶材原子在工件表面沉積成膜。
⒉缺陷
⑴工件表面溫度高→因高速電子直沖（轟擊）工件。
⑵工作電壓高→為了獲得高速電子產(chǎn)生輝光放電。
⑶沉積速率低→因轟擊離子（正離子）能量較低，濺射原子較少。
⑷不能濺射半導(dǎo)體和介質(zhì)材料。
⒊發(fā)展
⑴三極濺射
⑵磁控濺射
⑶射頻磁控濺射
⒋濺射鍍膜的特點(diǎn)（與蒸鍍相比）
⑴濺射粒子的能量比蒸鍍高1-2個(gè)數(shù)量級(jí)。高能粒子可清洗基體→結(jié)合力↑
⑵薄膜質(zhì)量好→高能粒子擴(kuò)散能力強(qiáng)→薄膜致密高能粒子形核率高→晶粒細(xì)化。
⑶磁控濺射的效率高，成膜速度高(可達(dá)2微米/min)。
⑷工件溫度低，對(duì)基體要求低，適用面廣。
⑸可沉積純金屬、合金、半導(dǎo)體、介質(zhì)及其化合物。
⑹可實(shí)現(xiàn)大面積沉積，可以大規(guī)模連續(xù)生產(chǎn)。

離子鍍
⒈原理→在基片和蒸發(fā)源間加上數(shù)百至數(shù)千伏的直流電壓，使真空室內(nèi)的工作氣體（Ar或N）離化，使蒸發(fā)粒子（原子、分子）部分離化。在電場(chǎng)作用下（負(fù)偏壓），這些離子與其它粒子一起以高能量射向基體表面沉積成膜。
⒉特點(diǎn)
⑴結(jié)合力↑↑→離子注入，過度層；轟擊加熱微擴(kuò)散。
⑵薄膜致密→邊沉積邊轟擊。
⑶均鍍能力強(qiáng)→工件在等離子體中；離子、粒子相撞，方向分散。
⒊常用離子鍍方法
⑴空心陰極離子鍍(HCD)
①蒸發(fā)：陰極空心鉭管（HCD槍）中通Ar，產(chǎn)生熱電子束，加速后聚焦到坩堝。
②離化：鍍膜材料被加熱蒸發(fā)，www.syfukang.com反應(yīng)氣體（N）和蒸發(fā)粒子在等離子體中部分離化（10-20%）。
③沉積：在蒸發(fā)沉積的基礎(chǔ)上，在工件上加負(fù)偏壓，吸引高能離子轟擊并沉積成膜。
④特點(diǎn)：結(jié)合力高沉積速率不太高→因離化率只有10-20%。
⑵多弧離子鍍
①蒸發(fā)離化
Ⅰ引弧→一觸即離。
Ⅱ弧光斑點(diǎn)高速游動(dòng)在靶面。
Ⅲ斑點(diǎn)在靶面上形成瞬間微熔池。
Ⅳ因溫度極高，熔料瞬間噴發(fā)并大部離化，形成等離子體。
Ⅴ工作氣體（N）亦被離化。
②沉積→高能離子在負(fù)偏壓作用下高速?zèng)_向基體并沉積。
③優(yōu)點(diǎn)
結(jié)合力↑↑
沉積速率高→離化率60-95%無坩堝污染。
多靶工作，任意安置，均鍍↑
④缺點(diǎn)→液滴！！！

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